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在大多數(shù)情況下，這些功能在手機(jī)中“始終打開”。如果來自這些傳感器的數(shù)據(jù)處理由手機(jī)的中央微控制器管理，則電池壽命將大大縮短。相反，的MCU芯片使用一小部分功率將數(shù)據(jù)作為傳感器集線器處理。恩智浦ARM M3系列MCU就是一個(gè)例子。根據(jù)EETimes報(bào)道的產(chǎn)品拆解Chipworks的說法，Apple使用定制版本的NXP芯片來監(jiān)控iPhone 5S中的傳感器?！癕7控制各種離散傳感器的功能，包括陀螺儀，東陽市CCD傳感器，加速度計(jì)和指南針。”三星與Atmel（Core 8位AVR MCU）的微控制器承擔(dān)相同的任務(wù)。
CCD傳感器中每一行中每一個(gè)像素的電荷數(shù)據(jù)都會依次傳送到下一個(gè)像素中，由底端部分輸出，再經(jīng)由傳感器邊緣的放大器進(jìn)行放大輸出；而在CMOS傳感器中，每個(gè)像素都會鄰接一個(gè)放大器及A/D轉(zhuǎn)換電路，用類似內(nèi)存電路的方式將數(shù)據(jù)輸出。
造成這種差異的原因在于：CCD的特殊工藝可保證數(shù)據(jù)在傳送時(shí)不會失真，因此各個(gè)像素的數(shù)據(jù)可匯聚至邊緣再進(jìn)行放大處理；而CMOS工藝的數(shù)據(jù)在傳送距離較長時(shí)會產(chǎn)生噪聲，CCD傳感器廠家，因此，必須先放大，再整合各個(gè)像素的數(shù)據(jù)。
CCD是由許多個(gè)光敏像元按一定規(guī)律排列組成的。每個(gè)像元就是一個(gè)MOS電容器(大多為光敏二極管)，它是在P 型Si襯底表面上用氧化的辦法生成1層厚度約為1000A～1500A的SiO2，再在SiO2表面蒸鍍一金屬層(多晶硅)，CCD傳感器多少錢，在襯底和金屬電極間加上1個(gè)偏置電壓，就構(gòu)成1個(gè)MOS電容器。當(dāng)有1束光線投射到MOS電容器上時(shí)，光子穿過透明電極及氧化層，進(jìn)入P型Si襯底，CCD傳感器報(bào)價(jià)，襯底中處于價(jià)帶的電子將吸收光子的能量而躍入導(dǎo)帶。光子進(jìn)入襯底時(shí)產(chǎn)生的電子躍遷形成電子－空穴對，電子－空穴對在外加電場的作用下，分別向電極的兩端移動，這就是信號電荷。這些信號電荷儲存在由電極形成的“勢阱”中。
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第11年
